好色先生黄的APP拋光(che而 caiMechanicalPolishing，簡稱CMp)作為集成電路(IntegratedCircult，簡稱lC)製造的核心技術被廣泛應用於集成電路製造過程中矽片表麵的局部和全局平坦化加工。矽片拋光機是一個非常複雜的過程，影響好色先生黄的APP拋光過程的因素有很多，而加工區域中拋光液的動態壓力和溫度變化是影響表麵非均勻性和材料去除率的關鍵因素之一。在集成電路製造中，采用的矽片尺寸不斷增大，器件特征尺寸不斷縮小，矽片拋光機拋光加工區域中拋光液動態壓力和溫度變化對矽片表麵質量的影響越來越突出。目前，對IC製造中矽片CMP加工區域中拋光液動態壓力和溫度研究還不係統和完善，深入研究矽片·CMP加工區域中拋光液動態壓力和溫度變化對最終實現高質量、超精密、無損傷加工表麵有著非常重要的意義。 (l)根據潤滑理論、滲流理論和微極流體理論，對大尺寸矽片CMP加工過程中含磨粒拋光液的流動性進行了研究，建立了拋光液流動的三維模型。研究了拋光液中懸浮納米級磨粒的尺寸、濃度，拋光墊的多孔隙性能、厚度和表麵粗糙度，矽片的尺寸和曲率，矽片和拋光墊的轉速等關鍵因素對拋光液流動的影響，流體壓力分布的實驗結果與理論模擬的結果基本一致。 (2)根據化學機械拋光的特點，通過對現有實驗設備進行改造，建立了矽片拋光機拋光試驗台。該試驗台實現了拋光頭的主動旋轉功能，拋光頭的萬向浮動功能;拋光載荷加載及調節功能，以及拋光液輸送及流量控製功能。為進行化學機械拋光扭矩、拋光壓力、摩擦力以及加工區域中拋光液動態壓力和溫度測量等研究提供了基礎的試驗平台。 (3)根據流體壓力測量的基本原理，對矽片拋光機拋光加工區域中拋光液動態壓力測量方法進行研究，提出了多點原位實時測量加工區域中拋光液動態壓力的方法。在此基礎上，對矽片拋光機拋光加工區域中拋光液流體壓力測量係統進行了研究，建立了矽片CMP加工區域中拋光液動態壓力實時檢測係統，係統誤差小於士0.25%，滿足拋光液動態壓力測試的要求。 (4)在CMp試驗台豐，運用所建立的拋光液動態壓力測量係統，進行矽片拋光機拋光加工.區域中拋光液流體動態壓力測量實驗，研究了拋光壓力和相對速度對矽片拋光機拋光加工區域中拋光液流體動態壓力的影響，結果表明:在拋光壓力較小的情況矽片拋光機拋光加工區域中拋光液動壓和溫度研究下，矽片與拋光墊之間拋光液容易形成潤滑承載膜，拋光液動態壓力隨著拋光壓力的增加而增大;另一方麵，在相同工況條件下，矽片與拋光墊之間的相對速度增加時，矽片與拋光墊之間拋光液產生的流體動態壓力也增大。 (5)根據溫度測量的基本原理，深入分析了影響矽片CMP加工區域中拋光液溫度測量的各種因素，提出了基於接觸法的多點原位實時測量矽片拋光機拋光加工區域中拋光液溫度的方法。在此基礎上，進行了矽片CMP加工過程中拋光液溫度測量係統研究，建立了矽片拋光機拋光加工區域中拋光液溫度測量係統，進行了拋光液溫度測量的誤差分析，並在測量中采取一些對應措施，排除幹擾，減小了誤差，使測量係統誤差小於土0.47%。 (6)運用所建立的拋光液溫度測量係統，進行了矽片拋光機拋光加工區域中拋光液溫度測量實驗研究，結果表明拋光壓力、相對速度和拋光墊的摩擦係數等因素對加工區域拋光液溫度變化具有決定性的影響. |
服務熱線:0755-26527403